IRF630 N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220
Κατασκευαστής STMicroelectronics Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET Τεχνολογία MESH OVERLAY II Πόλωση αμφιπολικό Τάση πυρήνα - πηγής 200V Ρεύμα αποστράγγισης 5.7A Ισχύς απαγωγής 75W Περίβλημα TO220-3 Τάση πύλης - πηγής ±20V Αγώγιμη αντίσταση 400mΩ Συναρ
- Κωδικός είδους: 371064310000
- B. Κωδ.: IRF630
-
Διαθεσιμότητα:
Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET
Τεχνολογία MESH OVERLAY II
Πόλωση αμφιπολικό
Τάση πυρήνα - πηγής 200V
Ρεύμα αποστράγγισης 5.7A
Ισχύς απαγωγής 75W
Περίβλημα TO220-3
Τάση πύλης - πηγής ±20V
Αγώγιμη αντίσταση 400mΩ
Συναρ
Κατασκευαστής STMicroelectronics
Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET
Τεχνολογία MESH OVERLAY II
Πόλωση αμφιπολικό
Τάση πυρήνα - πηγής 200V
Ρεύμα αποστράγγισης 5.7A
Ισχύς απαγωγής 75W
Περίβλημα TO220-3
Τάση πύλης - πηγής ±20V
Αγώγιμη αντίσταση 400mΩ
Συναρμολόγηση THT
Είδος καναλιού εμπλουτισμένο
Ιδιότητες ημιαγωγικών εξαρτημάτων ESD protected gate
TPANZ. IGBT POWER DESCRETE 2-4A/1000V
B. Κωδ.: IXGP2N100A
IRF520 Τρανζίστορ Mosfet- N 100V 9.7A TO-220AB
B. Κωδ.: IRF520
IRFP064PBF N-channel MOSFET Transistor, 31 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
B. Κωδ.: IRFP064N
IRF5305PBF Τρανζίστορ P-MOSFET -55V -31A 110W TO220AB
B. Κωδ.: IRF5305