ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ N-MOSFET 1000V 6.1Α

Πατήστε πάνω σε οποιαδήποτε εικόνα για μεγέθυνση

Εταιρεία: VISHAY
Κωδικός είδους: 800032100030
Διαθεσιμότητα: Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.

11,90€ 11.9 Τιμές με Φ.Π.Α

Περιγραφή είδους

Manufacturer VISHAY
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 1kV
Drain current 3.9A
Power dissipation 190W
Case TO247AC
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 2O
Mounting THT
Gate charge 190nC
Kind of package tube
Kind of channel enhanced

‹ Προηγούμενο είδος Επόμενο είδος ›

Σχετικά προϊόντα

TRANZ.IGBT POWER DESCRETE 4A/1000V

TPANZ. IGBT POWER DESCRETE 2-4A/1000V

9,10€

Κωδικός είδους:I4IXGP2N100A
B. Κωδ.: IXGP2N100A

Διαθέσιμο

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ IRF9640PBF TO220

5,50€

Κωδικός είδους:000001012007
B. Κωδ.:

Διαθέσιμο

Maximum Operating Temperature +150 °C Number of Elements per Chip 1 Length 15.87mm Transistor Configuration Single Typical Turn-On Delay Time 14 ns Brand Vishay Typical Turn-Off Delay Time 39 ns Maximum Continuous Drain Current 12 A Package Type T