IPB049NE7N3 G N-channel MOSFET, 80 A, 75 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK
- Κωδικός είδους: 530012910020
 - B. Κωδ.: IPB049NE7N3 G
 - 
						Διαθεσιμότητα: 
						Διαθέσιμο
						
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας. 
	
	
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Number of Elements per Chip 1
	Length 10.31mm
	Transistor Configuration Single
	Typical Turn-On Delay Time 14 ns
	Brand Infineon
	Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
	Maximum Continuous Drain Current 80 A
	Package Type D2PAK (TO-263)
	Maximum Power Dissipation 150 W
	Series OptiMOS 3
	Mounting Type Surface Mount
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Width 9.45mm
	Forward Transconductance 103s
	Maximum Gate Threshold Voltage 3.8V
	Height 4.57mm
	Minimum Gate Threshold Voltage 2.3V
	Maximum Drain Source Resistance 4.9 mO
	Maximum Drain Source Voltage 75 V
	Pin Count 3
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ DISCRETE ΝΡΤ IGBT 75A/1200V
B. Κωδ.: IXDN75N120
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 20A/800V
B. Κωδ.: IXFH20N80Q
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ POWER MOSFET HIPERFET 26A/500V
B. Κωδ.: IXFH26N50
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/500V
B. Κωδ.: IXFH32N50Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 40A/300V
B. Κωδ.: IXFH40N30
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 6A/1000V
B. Κωδ.: IXFH6N100Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/100V
B. Κωδ.: IXFK100N10
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/250V
B. Κωδ.: IXFK100N25
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 24A/1000V
B. Κωδ.: IXFK24N100
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/600V
B. Κωδ.: IXFK32N60
											
											
							









