Transistor IGBT 600V 40A 190W TO247-3
Κατασκευαστής ON SEMICONDUCTOR Τύπος τρανζίστορ IGBT Τάση συλλέκτη-πομπού 600V Ρεύμα συλλέκτη 40A Ισχύς απαγωγής 190W Περίβλημα TO247-3 Τλαση πύλης - πομπού ±20V Ρεύμα συλλέκτη σε παλμό 280A Συναρμολόγηση THT Φορτίο πύλης 210nC
- Εταιρεία: ON SEMICONDUCTOR
- Κωδικός είδους: 800012910011
- B. Κωδ.: 1057679
-
Διαθεσιμότητα:
Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
Manufacturer ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Type of transistor IGBT
Collector-emitter voltage 600V
Collector current 40A
Power dissipation 190W
Case TO247-3
Gate-emitter voltage ±20V
Pulsed collector current 280A
Mounting THT
Gate charge 210nC
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ DISCRETE ΝΡΤ IGBT 75A/1200V
B. Κωδ.: IXDN75N120
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 20A/800V
B. Κωδ.: IXFH20N80Q
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ POWER MOSFET HIPERFET 26A/500V
B. Κωδ.: IXFH26N50
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/500V
B. Κωδ.: IXFH32N50Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 40A/300V
B. Κωδ.: IXFH40N30
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 6A/1000V
B. Κωδ.: IXFH6N100Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/100V
B. Κωδ.: IXFK100N10
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/250V
B. Κωδ.: IXFK100N25
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 24A/1000V
B. Κωδ.: IXFK24N100
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/600V
B. Κωδ.: IXFK32N60