HGTG40N60A4 IGBT 75 A 600 V
Κατασκευαστής ON SEMICONDUCTOR Τύπος τρανζίστορ IGBT Τάση συλλέκτη-πομπού 600V Ρεύμα συλλέκτη 63A Ισχύς απαγωγής 625W Περίβλημα TO247-3 Τλαση πύλης - πομπού ±20V Ρεύμα συλλέκτη σε παλμό 300A Συναρμολόγηση THT Φορτίο πύλης 520nC Είδος σ
- Εταιρεία: ON SEMICONDUCTOR
- Κωδικός είδους: 530012910021
- B. Κωδ.: HGTG40N60A4
-
Διαθεσιμότητα:
Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
Maximum Operating Temperature +150 °C
Length 15.87mm
Transistor Configuration Single
Brand Fairchild Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Package Type TO-247
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 4.82mm
Height 20.82mm
Pin Count 3
Dimensions 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ DISCRETE ΝΡΤ IGBT 75A/1200V
B. Κωδ.: IXDN75N120
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 20A/800V
B. Κωδ.: IXFH20N80Q
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ POWER MOSFET HIPERFET 26A/500V
B. Κωδ.: IXFH26N50
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/500V
B. Κωδ.: IXFH32N50Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 40A/300V
B. Κωδ.: IXFH40N30
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 6A/1000V
B. Κωδ.: IXFH6N100Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/100V
B. Κωδ.: IXFK100N10
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/250V
B. Κωδ.: IXFK100N25
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 24A/1000V
B. Κωδ.: IXFK24N100
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/600V
B. Κωδ.: IXFK32N60