IPB049NE7N3 G N-channel MOSFET, 80 A, 75 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK

 Πατήστε πάνω σε οποιαδήποτε εικόνα για μεγέθυνση



      Share:
  • Κωδικός είδους: 530012910020
  • B. Κωδ.: IPB049NE7N3 G
  • Διαθεσιμότητα: Διαθέσιμο
    Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
4,80€ 4.8
Τιμές με Φ.Π.Α
Αγορά Wishlist Σύγκριση
Το προϊόν προστέθηκε με επιτυχία στο καλάθι
Περιγραφή είδους



Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.31mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Brand Infineon
Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
Maximum Continuous Drain Current 80 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 150 W
Series OptiMOS 3
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 9.45mm
Forward Transconductance 103s
Maximum Gate Threshold Voltage 3.8V
Height 4.57mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2.3V
Maximum Drain Source Resistance 4.9 mO
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Pin Count 3

Σχετικά προϊόντα

Newsletter

Εγγραφείτε στο newsletter μας για να μαθαίνετε πρώτοι τις προσφορές και τα νέα προϊόντα! Εγγραφή
 
paypalpireausvisamastercardmaestrodiners clubsslmastercardvisarapidssl

Markidis Electronics © 2024. All rights reserved. Designed & Developed with care by TotalWeb®