ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ POWER MOSFET 12A/1000V

 Πατήστε πάνω σε οποιαδήποτε εικόνα για μεγέθυνση



      Share:
  • Κωδικός είδους: I4IXFH12N100
  • B. Κωδ.: IXFH12N100
  • Διαθεσιμότητα: Διαθέσιμο
    Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
19,90€ 19.9
Τιμές με Φ.Π.Α
Αγορά Wishlist Σύγκριση
Το προϊόν προστέθηκε με επιτυχία στο καλάθι
Περιγραφή είδους


Manufacturer: IXYS
Product Category: MOSFET
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Id - Continuous Drain Current: 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.05 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 300 W
Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement
Tradename: HyperFET
Packaging: Tube
Height: 21.46 mm
Length: 16.26 mm
Series: HiPerFET
Σχετικά προϊόντα

Newsletter

Εγγραφείτε στο newsletter μας για να μαθαίνετε πρώτοι τις προσφορές και τα νέα προϊόντα! Εγγραφή
 
paypalpireausvisamastercardmaestrodiners clubsslmastercardvisarapidssl

Markidis Electronics © 2024. All rights reserved. Designed & Developed with care by TotalWeb®